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本文提出一种高功率密度的SOP8L封装引线框架，框架通过在封装内实现的三基岛，承载三个衬底电位不同的芯片，实现了多个低阻的N型功率MOSFET器件与控制芯片的集成，提升了带载能力，提高了封装的功率密度；通过三个基岛在封装外部部分裸露并与外部PCB相连，极大降低了封装的热阻，进一步提高了封装的功率密度；通过第一基岛及其延展部分将信号侧引脚与功率侧引脚隔离开来，极大降低了功率侧引脚对信号侧引脚的耦合干扰。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215600357 U
(45)授权公告日 2022.01.21
(21)申请号 202121771184.3
(22)申请日 2021.07.23
(73)专利权人 无锡猎金半导体有限公司
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