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- 2023-04-13 发布于四川
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本实用新型公开了防腐蚀半导电单面阻水带,涉及阻水带的技术领域,本实用新型旨在解决现有技术采用半导电单面阻水带,虽然起到了半导电屏蔽缓冲电场的作用,但由于吸水层直接接触铜导体,易造成铜导体腐蚀,影响其性能,本实用新型包括基材层、半导电层、高倍率吸水材料层和防腐蚀层;所述半导电层的一侧与所述基材层的两侧相结合,所述高倍率吸水材料层的一侧与所述半导电层的另一侧相结合,所述防腐蚀层的一侧与所述高倍率吸水材料层的另一侧相结合,半导电层屏蔽缓冲电场,高倍率吸水层可很好的吸收水分,同时,吸水层被防腐蚀层隔开,
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215643797 U
(45)授权公告日 2022.01.25
(21)申请号 202120098936.8
(22)申请日 2021.01.14
(73)专利权人 沈阳天荣电缆材料有限公司
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