NFTL算法适配NAND Flash的方法、存储设备.pdfVIP

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2023-04-13 发布于四川
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NFTL算法适配NAND Flash的方法、存储设备.pdf

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本发明公开了NFTL算法适配NANDFlash的方法、存储设备，包括步骤：将写入NANDFlash的物理地址与NFTL算法计算得到的地址进行重映射，完成数据写入到NANDFlash的地址是连续的等。本发明能够让NFTL算法在MLC和TLCNANDFlash上适配，解决NFTL管理算法不能较好适配高工艺NANDFlash的问题，对开发高速存储设备具有实际意义，可广泛应用于存储设备的NANDFlash的管理等。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112765050 A (43)申请公布日 2021.05.07 (21)申请号 202011638088.1 (22)申请日 2020.12.31 (71)申请人成都三零嘉微电子有限公司