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2023-04-13 发布于四川
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一种电容结构以及半导体器件.pdf

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本实用新型公开了一种电容结构以及半导体器件，该电容结构可以包括第一电极结构、设置在第一电极结构上的电容介电层以及设置在电容介电层上的第二电极结构，其中第一电极结构和第二电极结构中的至少一个电极结构可以包括第一掺杂多晶硅层和第一导电层，第一掺杂多晶硅层至少部分覆盖电容介电层，第一导电层设置在第一掺杂多晶硅层背离电容介电层的一侧表面上。通过设置第一掺杂多晶硅层可以有效捕获泄漏电荷，防止泄漏电荷扩散至电容介电层中，从而能够有效避免电流泄漏，提高半导体器件的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215600360 U (45)授权公告日 2022.01.21 (21)申请号 202122147110.9 (22)申请日 2021.09.07 (73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司