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高电子迁移率晶体管器件和半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-04-14 发布于四川
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高电子迁移率晶体管器件和半导体器件.pdf

    本公开的各实施例涉及高电子迁移率晶体管器件和半导体器件。高电子迁移率晶体管器件，包括：异质结构；在异质结构上的电介质层；以及栅极电极，完全延伸穿过电介质层，栅极电极包括：第一栅极金属层，被配置为与异质结构形成肖特基接触；第二栅极金属层，在第一栅极金属层上；以及第三栅极金属层，在第二栅极金属层上，第三栅极金属层包括铝，其中第二栅极金属层形成抵抗铝原子从第三金属层朝向异质结构扩散的屏障。根据本公开的实施例，提供了改进的高电子迁移率晶体管器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215680609 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202022447450.9 H01L 29/778 (2006.01) (22)申请日

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