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一种带LS结构的平面MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于四川
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一种带LS结构的平面MOSFET及其制造方法.pdf

    本发明公开了一种带LS源极结构的平面MOSFET，包括第一导电类型的高掺杂衬底、第一导电类型高掺杂的外延层、阱区，所述第一导电类型的外延层覆盖于第一导电类型的高掺杂衬底上，外延层上制造有阱区，阱区内还制造有LOCOS源极区。本发明MOSFET器件通过引入LOCOS源极结构，可避免栅介质因强电场损伤，有效降低寄生三极管效应，提高器件的可靠性，同时还可有效降低栅源电容；其相应制造方法具有工艺实现简单、工艺效果可控、易重复的有益效果。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115842043 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202211560545.9 (22)申请日 2022.12.07 (71)申请人 重庆中科渝芯电子有

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