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- 2023-04-15 发布于四川
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本公开的实施例涉及微电子器件。一种器件包括位于衬底的相同第一部分的MOS晶体管和双极晶体管。第一部分包括形成MOS晶体管的沟道的呈现第一掺杂类型的第一阱和与第一类型相对的呈现第二掺杂类型的两个第一区域，该第一区域布置在构成MOS晶体管的源极和漏极的第一阱中。第一部分还包括：相对于第一阱横向布置以形成双极晶体管基极的呈现第二掺杂类型的第二阱；呈现第一掺杂类型的第二区域，该第二区域布置在第二阱中以形成双极晶体管的发射极；以及呈现第一掺杂类型的第三区域，该第三区域布置在第二阱下面，形成双极晶体管的集电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731714 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202022870589.4
(22)申请日 2020.12.02
(30)优先权数据
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