非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法.pdfVIP

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2023-04-15 发布于北京
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非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法.pdf

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本申请公开了非易失性存储器的参考单元模块及参考单元修复方法。所述参考单元修复方法包括：在晶圆测试阶段进行第一次参考单元修复；以及在封装测试阶段进行第二次参考单元修复，其中，所述非易性存储器的参考单元模块包括第一子阵列和第二子阵列，所述参考单元修复包括在存在缺陷的所述第一子阵列的第一参考单元与阈值电压相同且不存在缺陷的所述第二子阵列的第二参考单元之间形成地址映射。其中，在晶圆测试阶段及封装测试阶段通过对存在缺陷的第一参考单元进行修复，从而提升芯片良率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115841840 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202211601975.0 (22)申请日 2022.12.13 (71)申请人合肥博雅半导体有限公司地址 23