一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-15 发布于北京
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一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法.pdf

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本发明涉及半导体技术与微纳真空电子技术领域，具体为一种桥式结构空气沟道二极管及其制备方法。包括衬底以及设置在衬底上表面的第一金属层、第二金属层和电极结构；所述电极结构位于第一金属层和第二金属层之间；包括下电极和桥式上电极；桥式上电极采用能够在外加电压下发生弹性形变的导电材料制成，同轴套设于下电极外，并与下电极之间留有空隙以形成空气沟道。该二极管具有阈值电压低、无绝缘介质支撑、电极重合面积小、极间电容低、空气沟道尺寸可动态调谐等优点，其制备过程不依赖高昂纳米加工设备、可以批量制备的垂直结构纳米空气

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115842059 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202310017315.6 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.01.