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一种坩埚旋转下降法生长氟化物晶体的装置,包括炉体,炉体内腔装有底部保温屏,底部保温屏上安装有下圆周保温屏和隔热环,隔热环上方装有上圆周保温屏和顶部保温屏;坩埚支柱杆穿过炉体,坩埚支柱杆的上端固定安装有坩埚,上腔体内固定安装有发热体;炉体底部通过进气口与惰性气体罐和还原性气体罐相连接,炉体上方侧表面设置有出气口。其方法包括热场安装和装料、抽真空并充入保护气氛、升温化料、晶体生长和降温退火。本实用新型通过不断充入惰性气体加还原性气体的混合气,从而既保证在氟化物生长过程中能够有效去除原料中含氧杂质,也
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215713512 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202121212232.5
(22)申请日 2021.06.02
(73)专利权人 上海德硅凯氟光电科技有限公司
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