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一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于四川
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一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置.pdf

    本实用新型公开了一种PVT法生长碳化硅单晶改善气氛流向的装置，包括：外保温结构、石墨坩埚及石墨盖，所述石墨盖位于石墨坩埚顶部并密封石墨坩埚，所述石墨盖内侧设有籽晶，所述石墨坩埚内填充碳化硅粉料，所述外保温结构覆盖石墨坩埚和石墨盖的周围，还包括石墨导流环；所述石墨导流环设置在石墨坩埚内部且设置在碳化硅粉料和籽晶之间。本实用新型通过在PVT法碳化硅单晶生长热场结构上增设石墨导流环有效降低了重结晶现象，提高了所形成的碳化硅晶体品质。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215668288 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202122361669.1 (22)申请日 2021.09.28 (73)专利权人 浙江大学杭州国际科创中心

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