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- 2023-04-15 发布于四川
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本实用新型提供了一种磁芯结构及电磁耦合装置。其中,所述磁芯结构包括第一磁芯和第二磁芯,所述第一磁芯包括主体部和两个侧柱,所述两个侧柱与所述主体部固定连接,在所述第一磁芯和第二磁芯装配在一起并处于工作状态后,所述两个侧柱与所述第二磁芯耦接,其中,所述两个侧柱中的至少一个的至少部分区段的有效横截面积与所述主体部的有效横截面积不等。本实用新型所公开的磁芯结构及电磁耦合装置能够解决磁芯结构中的损耗过大的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731241 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202121741434.9
(22)申请日 2021.07.28
(73)专利权人 上海晶丰明源半导体股份有限公
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