GaN器件封装结构与电子装置.pdfVIP

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2023-04-16 发布于四川
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GaN器件封装结构与电子装置.pdf

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本申请涉及一种GaN器件封装结构与电子装置，GaN器件封装结构包括导线框架、氮化镓HEMT芯片、MOSFET芯片和塑封体；导线框架包括散热载片、第一栅极引脚、第二栅极引脚和漏极引脚；氮化镓HEMT芯片和MOSFET芯片设置在散热载片上并分别通过第一栅极引脚和第二栅极引脚进行控制；MOSFET芯片的漏极和氮化镓HEMT芯片的源极内部相连，MOSFET芯片的源极作为GaN器件的源极输入，氮化镓HEMT芯片的漏极作为GaN器件的漏极输出。本申请具有外部电路能单独对氮化镓HEMT芯片的栅极进行控制，摆脱

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215731692 U (45)授权公告日 2022.02.01 (21)申请号 202122284511.9 H01L 25/07 (2006.01) (22)申请日 2