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- 2023-04-16 发布于四川
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本实用新型公开了一种低开启电压的超结RB‑IGBT器件，包括：金属化集电极层；重掺杂多晶硅，所述重掺杂多晶硅设置于金属化集电极层的上方；氧化层，所述氧化层设置于掺杂多晶硅的上方；P型集电区，所述P型集电区关于金属化集电极层对称设置有两个P型集电区，P型集电区与金属化集电极层相邻设置；每个所述P型集电区相邻设置有N型重掺杂区，每个N型重掺杂区之间间隔设置；每个所述P型集电区与N型重掺杂区的上方设置有P型埋层。根据本实用新型，结构简单合理，器件背面通过P型埋层设计可将超结IGBT器件的开启电压降至0
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731726 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202122146800.2
(22)申请日 2021.09.07
(73)专利权人 上
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