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- 2023-04-16 发布于四川
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本实用新型公开了一种低开启电压的超结LIGBT器件，包括：衬底；设置于所述衬底上的埋氧化层；设置于所述埋氧化层上的SOI层；所述SOI层包括发射极结构、与所述发射极结构相邻设置的中间超结结构及与所述中间超结结构相邻设置的集电极结构；所述发射极结构包括通过离子注入高温推阱形成的P型体区、在所述P型体区中光刻注入形成的重掺杂N型发射区及与所述发射区相邻设置的重掺杂P型欧姆接触区，所述发射区与欧姆接触区构成发射极。根据本实用新型，器件集电极侧通过P型埋层设计可将超结LIGBT器件的开启电压降至0.1V
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215731727 U
(45)授权公告日 2022.02.01
(21)申请号 202122146817.8
(22)申请日 2021.09.07
(73)专利权人 上
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