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一种液晶面板薄膜晶体管结构装置，呈双U型结构，每个U型结构包括一个源极和漏极，所述源极呈U型，包括直道区域以及内侧U型弯折部区域，所述直道区域以及内侧U型弯折部区域的内壁距离对应的漏极的距离一致。两个所述源极的开口均向上设置。或者两个所述源极的开口方向相反。本实用新型形态能在沟道的宽度尺寸一致的情况下，相同沟道宽度值可使电子迁移率（W/L）相同，进而均匀沟道电，实现八畴像素结构，在保证TFT电气性能前提上，节省横向或纵向的金属走线空间，提高像素开口率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215815886 U
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202122166819.3
(22)申请日 2021.09.08
(73)专利权人 超视界显示技术有限公司
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