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温度对半导体的电压电流影响实验--第1页
实验 温度、光对半导体导电特性的影响
一．实验目的与意义
无论是半导体单晶材料、PN结、还是器件，其电学特性（如：电阻率ρ、I-V曲线、载
流子迁移率μ）均受温度、光（辐射）影响，因此，从原理上讲，半导体产品的应用受环境
温度、辐射限制大。所以在设计、使用半导体产品时必须考虑环境因素。
通过本实验的学习，加深学生对半导体导电性理论的理解，培养学生自行设计实验方法，
实际动手操作，观察现象，进行理论分析的能力。
二．实验原理
1.电阻率的测量：
设样品电阻率ρ均匀，样品几何尺寸相对于探针间的距离可看成半无穷大。引入点电流
源的探针其电流强度为I，则所产生的电力线有球面对称性，即等位面是以点电流源为中心
的半球面，如图1-1所示。在以r为半径的半球上，电流密度j 的分布是均匀的。
I
r
图1-1探针与被测样品接触点的电流分布
I
j （1-1）
2
2 r
若E为r处的电场强度，则
I
Ej (1-2)
2
2 r
温度对半导体的电压电流影响实验--第1页
温度对半导体的电压电流影响实验--第2页
d
ф E ，则有：
取r为无穷远处的电位 为零，并利用
dr
(r) r I drr
d Edr （1-3）
2 r2
0
I
r （1-4）
2 r
式（1-2）就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离r 的点的电位与探针流过的电流
和样品电阻率的关系式，它代表了一个点电流对距离为r处的点的电势的贡献。
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