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本实用新型涉及脑机接口技术领域，公开一种使用硅刻蚀方式实现的半侵入式脑机接口模块，包括电路板、控制芯片和倒装芯片。电路板能连接外部设备。控制芯片的底面与电路板固定连接，控制芯片的顶面与倒装芯片焊接，将现有技术中脑机接口模块内芯片并排设置的方式改为倒装设置，压缩了脑机接口模块的体积，并且提高了信号传输速率和可靠性。控制芯片的周向设有凹向电路板的台阶面，台阶面上设有第一焊盘，第一焊盘通过引线与电路板电连接。倒装芯片的一端设有电极，电极用于连接脑神经元。设置台阶面将引线的连接位置从控制芯片的顶面移至台
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215815856 U
(45)授权公告日 2022.02.11
(21)申请号 202122270416.3
(22)申请日 2021.09.18
(73)专利权人 湖南越摩先进半导体有限公司
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