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本实用新型公开了一种抗单粒子烧毁的侧壁肖特基器件，涉及肖特基器件领域，该侧壁肖特基器件中，构成漂移区的N‑型SiC外延层呈凸台结构，凸台结构的平行表面上设置有隔离层，阳极金属层形成在隔离层的表面以及N‑型SiC外延层的凸台结构的侧壁，N‑型SiC外延层及其凸台结构的侧壁的阳极金属层形成肖特基接触。由于肖特基界面形成在漂移区的侧面，从而改变器件内部电场线的方向，可以有效避免入射粒子路径与电场线平行，因此可以有效改善高能粒子辐照肖特基器件后在肖特基界面出现高温点的问题，从而提高SiC肖特基器件的抗单
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215869400 U
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202121964362.4
(22)申请日 2021.08.19
(73)专利权人 江苏芯唐微电子有限公司
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