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本实用新型涉及晶体合成领域,具体涉及一种基于微波等离子体化学气相沉积的单晶金刚石基片台,包括钼托,所述钼托上由外向内凹陷设置有阶梯分布的同心圆台阶,台阶的阶梯处设置有圆滑的台阶倒圆角,台阶的平台上设置有多个用于放置籽晶的晶孔。通过降低中心基片台的高度,使金刚石籽晶温度分布更均匀;通过相邻两个台阶之间的高度差和台阶边缘处的倒圆角设置,使中心部分的基片处于等离子体球较低的位置,边缘部分基片处于等离子体球较高的位置,来达到多片单晶金刚石生长温度的一致性;有效的改善了因等离子球能量不均匀而导致的温度差问
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215856452 U
(45)授权公告日 2022.02.18
(21)申请号 202121395932.2 C23C 16/511 (2006.01)
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