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本实用新型公开一种半导体工艺设备及其晶圆暂存腔室,晶圆暂存腔室包括:腔室,腔室内部具有容纳空间;制冷盘,位于容纳空间内,制冷盘包括相对的第一表面和第二表面,第一表面能够承载晶圆;升降环,环绕制冷盘设置,升降环被配置为能够在第一方向上运动,第一方向垂直于第一表面;第一支撑组件;以及第二支撑组件,第一支撑组件和第二支撑组件均与升降环连接,第一支撑组件和第二支撑组件均包括用于支撑晶圆的支撑部,第一支撑组件的支撑部与第二支撑组件的支撑部在第一方向上间隔设置。根据本实用新型实施例的晶圆暂存腔室,其在容纳处
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215896344 U
(45)授权公告日 2022.02.22
(21)申请号 202121811902.5
(22)申请日 2021.08.04
(73)专利权人 北京北方华创微电子装备有限公
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