一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于北京
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一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法.pdf

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本发明公开一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法，本发明在P扩散区的光刻工艺中，通过调整光刻窗口至N+扩散区区域内，同时引入高能量的硼注入、硼推结，使得P扩散区处于N+扩散区下方。P扩散区光刻窗口的尺寸略小于N+扩散区的窗口尺寸，由于该结构的击穿区域由常规结构的表面区域转移至体内区域，同时击穿的触发区域得到有效的增大。当进行ESD接触放电试验时，ESD脉冲依次经过第一N+扩散区、P扩散区104、P型单晶材料区、第二N+扩散区，从而可以获得更高的ESD抗干扰能力。通过合理设计P型扩

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889466 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202111225790.X (22)申请日 2021.10.21 (71)申请人济南市半导体元件实验所