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- 2023-04-21 发布于四川
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一种方法包括：在衬底上方提供半导体沟道层；形成环绕半导体沟道层的第一偶极层；形成环绕第一偶极层的界面介电层；形成环绕界面介电层的高k介电层；形成环绕高k介电层的第二偶极层；执行热工艺以将至少一些偶极元件从第二偶极层驱入高k介电层中；去除第二偶极层；以及形成环绕高k介电层的功函数金属层。本申请的实施例提供了半导体器件制造方法及其结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113889437 A
(43)申请公布日 2022.01.04
(21)申请号 202110504442.X
(22)申请日 2021.05.10
(30)优先权数据
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