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金属深沟槽隔离偏置解决方案.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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金属深沟槽隔离偏置解决方案.pdf

    本申请案涉及金属深沟槽隔离偏置解决方案。一种图像传感器包含安置在像素区域中且接近半导体层的前侧的光电二极管。在经安置接近所述半导体层的背侧的背侧氧化物层中形成背侧金属光栅。在所述半导体层中形成具有多个像素区域部分及边缘区域部分的深沟槽隔离DTI结构。将所述像素区域部分安置在所述半导体层的所述像素区域中使得入射光被引导通过所述背侧金属光栅，通过所述半导体层的所述背侧，且在所述DTI结构的所述像素区域部分之间到达所述光电二极管。所述DTI结构的所述边缘区域部分经安置在所述像素区域外部的边缘区域中。用

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113889493 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202110724464.7 (22)申请日 2021.06.29 (30)优先权数据 16/918,92

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