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- 2023-04-21 发布于四川
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本申请适用于半导体光电技术领域，提供了一种发光二极管器件的测试方法及装置，该方法包括：向发光二极管器件输入测试电压，获取所述发光二极管器件基于所述测试电压发光的发光面积，基于所述测试电压和所述发光面积，确定所述发光二极管器件的性能参数。本申请能够提高对发光二极管器件进行测试的准确性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113884849 A
(43)申请公布日
2022.01.04
(21)申请号 20201
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