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锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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锑-铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法.pdf

    本发明涉及一种锑‑铟系化合物半导体磁阻连续电流传感器及其制造方法，所述传感器包括：第一介质层；锑‑铟系化合物半导体磁阻芯片，形成于第一介质层的第一面；导线，形成于第一介质层的第一面；永磁软磁复合层，包括永磁层和软磁层，永磁软磁复合层在第一面的正投影覆盖所述芯片；其中，所述永磁层的矫顽场比所述软磁层的矫顽场大至少50％，且所述软磁层的饱和磁感应强度比所述永磁层的剩余磁感应强度大至少100％。本发明的传感器能够准确地测出连续变化的电流值。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113884956 A (43)申请公布日 2022.01.04 (21)申请号 202010624900.9 (22)申请日 2020.07.02 (71)申请人 华润微电子控股有限公司

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