半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括第一区和若干个第二区；位于衬底上的沟道柱；位于衬底上的第一隔离层；位于第一区上的第一隔离层内的开口，开口暴露出沟道柱的部分侧壁；位于沟道柱侧壁和第一隔离层的部分表面的栅极结构。通过位于第一区上的第一隔离层内的开口，开口暴露出沟道柱的部分侧壁，使得沟道柱暴露出的侧壁面积增加，进而栅极结构覆盖沟道柱侧壁的面积增大，对应的形成的沟道区的在垂直于衬底表面方向上的长度也增加，通过沟道柱的长度增加，降低了短沟道效应，以此提升最终形成的半导体结构的性能。另外，在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903805 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202010641651.4 H01L 21/768 (2006.01)