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晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构.pdf

    本发明提供一种晶圆级硅通孔封装结构制作方法及硅通孔封装结构，所述方法包括步骤：提供一设置有焊垫的晶圆和基板，将晶圆以焊垫朝向基板的方向覆于基板上；在晶圆上形成环形通孔，并使环形通孔外轮廓和焊垫之间至少存在部分重叠；在晶圆表面覆盖绝缘层，并使绝缘层填充于环形通孔；在晶圆位于环形通孔内轮廓之内的区域形成贯通孔，贯通孔暴露焊垫；在绝缘层表面及贯通孔内形成电性连接于焊垫的金属层。通过利用环形通孔，使绝缘层和金属层之间结合面于底部形成内倒角的结构，大幅降低了对封装结构中各层厚度及结构均一性的要求，并且配合

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903706 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202111271496.2 (22)申请日 2021.10.29 (71)申请人 苏州晶方半导体科技股份有限公司

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