基于DORIS载波相位数据提取电离层VTEC的方法及系统.pdfVIP

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  • 2023-04-21 发布于四川
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基于DORIS载波相位数据提取电离层VTEC的方法及系统.pdf

本发明提供一种基于DORIS载波相位数据提取电离层VTEC的方法及系统,采用DOIRS双频载波相位数据组成几何无关方程式,修正信标端和卫星端的天线相位中心几何误差,得到包含模糊度参数的相对电离层STEC;引入IGS全球电离层模型GIM电离层数据,将穿刺点处的垂直电离层VTEC投影到倾斜电离层STEC,并修正低轨卫星轨道高度误差因子,对DORIS相对电离层STEC进行绝对值校正。本发明数据处理方法简单,仅仅采用载波相位数据,克服了DORIS伪距观测值精度较低的问题,能够准确地提取DORIS相对电离

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113900128 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202111158896.2 (22)申请日 2021.09.30 (71)申请人 武汉大学 地址 43

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