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- 2023-04-21 发布于四川
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一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底，所述衬底包括第一区和第二区；位于衬底上的栅极结构；位于栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂区；位于第一区上栅极结构之间的改性层；位于第二区上栅极结构之间源漏掺杂区上的牺牲层。所述半导体结构的性能得到改善。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903811 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202010642695.9
(22)申请日 2020.07.06
(71)申请人 中芯
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