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本发明涉及无取向硅钢技术领域，具体提供了一种无取向硅钢的制备方法，对再结晶率为70‑90％、平均晶粒尺寸为10‑15μm、硬度HV为140‑170的硅钢半成品在温度为T＝(772～777)+2900×W(Si)的条件下进行去应力退火，制得无取向硅钢，晶粒在去应力退火过程中均匀长大，平均晶粒尺寸80μm以上，有效降低铁损，使磁性能大幅度提高，铁损P1.5/50≤3.5W/kg，磁感B5000≥1.72T，电磁性能优异，满足客户使用要求，此外，本发明采用的硬度HV为140‑170的硅钢半成品在冲压过
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113897549 B
(45)授权公告日 2022.09.06
(21)申请号 202111172985.2 (51)Int.Cl.
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