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本发明属于碳化硅肖特基器件技术领域，尤其为一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，包括碳化硅层N+、形成于碳化硅层N+背面的N型欧姆接触层以及形成于碳化硅层N+之上的碳化硅外沿层N‑，所述碳化硅外沿层N‑上设有电流抑制区，所述电流抑制区内对应碳化硅外沿层N‑表面刻有沟槽，所述沟槽的底角与侧壁上通过注入掺杂形成有P型保护环。本发明通过将沟槽的顶角设置为敞口结构，整体减小了沟槽的注入掺杂高度，并在较大程度上降低了沟槽侧壁过高对注入设备注入掺杂杂质注入深度的影响，同等制造能力条件下可实现底角处曲率半径
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113903790 A
(43)申请公布日 2022.01.07
(21)申请号 202111219525.0
(22)申请日 2021.10.20
(71)申请人 无锡市查奥微电子科技有限公司
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