具有多个保护层的半导体元件及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-21 发布于四川
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具有多个保护层的半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一第一芯片、一第一导电特征、一第二芯片、一第一掩模层、一第二掩模层、一导电填充层、多个绝缘层以及多个保护层；该第一导电特征位在该第一芯片中；该第二芯片位在该第一芯片上；该第一掩模层位在该第二芯片上；该第二掩模层位在该第一掩模层上；该导电填充层位在穿过该第二掩模层、该第一掩模层以及该第二芯片处，延伸到该第一芯片且接触该第一导电特征；该等绝缘层位在该导电填充层与该第一芯片之间、位在该导电填充层与该第二芯片之间以及位在该导电填充层与该第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113903723 A (43)申请公布日 2022.01.07 (21)申请号 202110505165.4 (22)申请日 2021.05.10 (30)优先权数据 16/908,02