一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法.pdf

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本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法。一种10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法，包括以下步骤：(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度PEG原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10‑50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。本发明10‑50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法简单

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113929127 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 20201