半导体存储器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于四川
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半导体存储器件及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法，存储器件包括：存储单元，该存储单元包括从下至上依次堆叠的底电极、介质层以及顶电极；底部金属线，与底电极连接；顶部金属线，与顶电极连接，且顶部金属线包括从顶部金属线沟槽向下纵向延伸的第一部分以及位于顶部金属线沟槽中的第二部分；层间介质层，环绕在存储单元和顶部金属线周围。本发明能够增加顶部金属线沟槽底部到存储单元介质层的距离。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948493 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202010695472.9 H01L 27/11502 (2017.01)