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一种III族氮化物的增强型HEMT的制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-22 发布于四川
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一种III族氮化物的增强型HEMT的制备方法.pdf

    本发明涉及半导体器件技术领域，更具体地，涉及一种III族氮化物的增强型HEMT的制备方法。采用结合干法刻蚀、MOCVD热刻蚀与二次生长技术，实现栅极下方沟道的关断特性，彻底避免栅极区域以外的接入区的晶格损伤问题，提高栅极区域外的接入区的导电能力。通过设计无损伤的一次外延氮化物势垒层结合二次外延氮化物势垒层结构，从而合理同时实现器件关断特性及接入区的导通能力，且降低由于界面陷阱引起的器件电流崩塌问题，最终能有效实现高阈值电压、高导通性能、高稳定性的增强型器件。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113937154 A (43)申请公布日 2022.01.14 (21)申请号 202111131970.1 (22)申请日 2021.09.26 (71)申请人 中山大学 地址 51

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