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本发明提供了一种三维结构高增益AlGaN日盲紫外探测器,紫外探测技术领域,包括衬底,在衬底上依次生长的缓冲层、n‑AlGaN层、i‑AlGaN层、p‑AlGaN层;i‑AlGaN层和p‑AlGaN层位于器件的有源区之间的区域均被刻蚀掉,形成被分隔开的两部分p型有源区;还包括2个p型欧姆接触电极上电极,分别位于两部分p型有源区的p‑AlGaN层的上方,上电极与p‑AlGaN层形成欧姆接触;n‑AlGaN层作为基极连接两部分pin结构,形成p‑i‑n‑i‑p结构,光照下电子在所述n‑AlGaN层聚集
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948604 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202111211405.6
(22)申请日 2021.10.18
(71)申请人 中国科学院长春光学精密机械与物
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