功率场效应晶体管绝缘栅双极型晶体管IGBT其他器件.pptxVIP

功率场效应晶体管绝缘栅双极型晶体管IGBT其他器件第1页/共32页 2?特点——用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。第2页/共32页 3 1、当栅—源极间的电压UGS≤0或0＜UGS≤UV（UV为开启电压，又叫阈值电压，典型值为2～4 V）时，即使加上漏—源极电压UDS，也没有漏极电流ID出现，PM处于截止状态。 2、当UGS＞UV且UDS＞0时，会产生漏极电流ID，PM处于导通状态，且UDS越大，ID越大。另外，在相同的 UDS下，UGS越大，ID越大。 综上所述，PM的漏极电流ID受控于栅—源电压UGS和漏—源电压UDS 。(ID受双重控制） 第3页/共32页 4 (1) 输入阻抗高，属于纯容性元件，不需要直流电流驱动，属电压控制器件，可直接与数字逻辑集成电路连接，驱动电路简单。 (2) 开关速度快，工作频率可达1 MHz，比GTR器件快10倍，可实现高频斩波，开关损耗小。 (3) 为负电流温度系数，即器件内的电流随温度的上升而下降的负反馈效应，因此热稳定性好，不存在二次击穿问题，安全工作区SOA较大。 1. P-MOSFET的主要特性第4页/共32页 52. PMOSFET的栅极驱