集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法.pdf

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本申请涉及一种集成电路系统及其形成方法及用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠。所述第一层包括掺杂二氧化硅，且所述第二层包括未掺杂二氧化硅。将水平拉长的沟槽形成到所述堆叠中。穿过所述沟槽相对于所述第二层中的所述未掺杂二氧化硅选择性地蚀刻所述第一层中的所述掺杂二氧化硅。传导材料形成于所述第一层中通过所述蚀刻而留下的空隙空间中。公开了独立于方法的结构。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948528 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202110755891.1 (22)申请日 2021.07.05 (30)优先权数据 16/930,84