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公开了具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件。垂直导电电子功率器件由具有第一导电类型并具有表面的宽带隙半导体的主体形成，并且由漂移区和由该表面限定的多个表面部分形成。该电子器件还由多个具有第二导电类型的第一注入区和多个金属部分形成，该多个第一注入区从表面延伸到漂移区中，该多个金属部分布置在该表面上。每个金属部分与多个表面部分中的相应表面部分肖特基接触，以形成由第一肖特基二极管和第二肖特基二极管形成的多个肖特基二极管，其中，第一肖特基二极管在平衡时具有肖特基势垒，该肖特基势垒的高度不同于第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113948584 A
(43)申请公布日 2022.01.18
(21)申请号 202110793154.0
(22)申请日 2021.07.14
(30)优先权数据
102020000
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