用于垂直FET的自对准接触的自对准隔离.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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用于垂直FET的自对准接触的自对准隔离.pdf

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一种用于制造垂直FET器件的方法包括提供半导体衬底结构，该半导体衬底结构包括半导体衬底和耦接至半导体衬底的第一半导体层。该第一半导体层的特征在于具有第一导电类型。该方法还包括形成耦接至第一半导体层的多个半导体鳍。该多个半导体鳍中的每个半导体鳍被多个凹陷区域中的一个凹陷区域隔开。该方法还包括在多个凹陷区域中外延再生长包括表面区域的半导体栅极层。该方法还包括在半导体栅极层的表面区域内形成隔离区域。该隔离区域围绕多个半导体鳍中的每个半导体鳍。该方法还包括形成耦接至多个半导体鳍中的每个半导体鳍的源极接触

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113948393 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202110801885.5 H01L 29/167 (2006.01) (22)申请日