大面积微纳米光栅及其制备方法与应用.pdfVIP

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2023-04-22 发布于北京
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大面积微纳米光栅及其制备方法与应用.pdf

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本发明涉及一种大面积微纳米光栅及其制备方法与应用。上述制备方法包括如下步骤：在衬底上形成金属层；在衬底及金属层上形成抗蚀层，抗蚀层覆盖金属层；在抗蚀层表面点涂导电金属浆料作为聚焦点；聚焦点于抗蚀层预设曝光区域外周间隔设置；调整电子束设备的子场和主场的尺寸为大面积微纳米光栅周期的整数倍，并且使场拼接线落在曝光区域内；将抗蚀层进行曝光和显影，得到预设结构，曝光在电子束设备进行；以经过曝光和显影的抗蚀层作为第一掩膜，对金属层进行离子刻蚀；去除抗蚀层，以经离子刻蚀的金属层作为第二掩膜，对衬底进行离子刻蚀

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113946006 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202111176238.6 (22)申请日 2021.10.09 (71)申请人南方科技大学地址