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用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于北京
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用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环.pdf

    本文提出了用于增强功率半导体器件中的击穿电压的耦合式多晶硅保护环。多晶硅保护环被设置在功率器件漂移区域上方并且电耦合到功率器件区域(例如，器件扩散部)，以便散布与运行电压相关联的电场。此外，PN结(即，P型结和N型结)在多晶硅保护环内形成，以以反向偏压运行，使得在功率器件区域(例如，器件扩散部)之间具有低泄漏电流。低泄漏电流可以有利地增强电场散布，而不有害地影响现有的(即，常规的)功率器件性能；并且增强的电场散布进而可以降低击穿电压漂移。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113994479 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 201980097671.5 (51)Int.Cl.

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