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本申请公开了一种T形栅极的制造方法、高电子迁移率晶体管，方法包括：在基板的表面沉积氧化物层并涂布i线光刻胶；进行i线光刻机曝光，并对氧化物层进行刻蚀直至露出基板，以形成第一宽度的氧化物层开口；在所述开口的两侧对部分厚度的氧化物层进行第二次刻蚀，使该厚度的氧化物层开口达到第二宽度，所述第二宽度大于第一宽度；沉积金属层后减薄金属层直至露出氧化物层，去除基板表面剩余的氧化物层形成T形栅极。本申请通过使用低成本的材料i线光刻胶和氧化物取代高成本材料，并使用i‑line光刻工艺来缩短光刻工艺时间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113964028 A
(43)申请公布日 2022.01.21
(21)申请号 202010702711.9
(22)申请日 2020.07.21
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
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用户编号：7160061112000031
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