三维存储器及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于北京
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三维存储器及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种三维存储器及其制作方法。该三维存储器的制作方法包括：提供表面具有堆叠体的衬底，在堆叠体中形成贯穿至衬底的沟道孔，位于相邻沟道孔之间的堆叠体具有第一表面；在沟道孔的内表面和第一表面顺序形成层叠设置的功能层和沟道层，并使位于第一表面的沟道层的厚度大于位于沟道孔的内表面的沟道层的厚度；在沟道孔中形成介电填充层，沟道层和功能层顺序环绕介电填充层，以形成沟道结构。由于相比于位于沟道孔侧壁上的沟道层，位于相邻沟道孔之间的堆叠体上的沟道层具有更大的厚度，从而避免由于沟道层损坏而导致的导电插塞在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113964132 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111223496.5 (22)申请日 2021.10.20 (71)申请人长江存储科技有限责任公司