一种LED外延片制作方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种LED外延片制作方法.pdf

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本申请公开了一种LED外延片制作方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的n型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行预铺Al处理、生长AlN层、生长InGaN阱层、生长GaN垒层以及H2处理的步骤。本发明通过采用新的LED外延片制作方法来提升外延材料质量，从而提高LED的光电性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113972304 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202111228795.8 (22)申请日 2021.10.21 (71)申请人湘能华磊光电股份有限公司