半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于四川
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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序.pdf

具有重复进行下述(a)和(b)的工序:(a)执行工艺制程的工序,所述工艺制程中,向收容有衬底的经加热的状态的处理容器内供给处理气体,并对衬底进行处理;和,(b)执行清洁制程的工序,所述清洁制程中,向未收容衬底的经加热的状态的处理容器内供给清洁气体,并对处理容器内进行清洁,并且,将(b)结束后至开始(a)的时间设为(a)结束后至开始(b)的时间以下。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113994457 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 201980097563.8 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所

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