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本发明提供一种分栅式闪存存储器的制造方法，在形成浮栅尖端以后，通过对浮栅层进行氧化处理，可使得所述浮栅尖端圆滑化，减少浮栅中的电子泄露，降低漏电流，有助于提高数据保持能力，从而提高存储器的擦除性能。进一步的，通过对所述浮栅层进行氧化处理，可降低所述浮栅尖端的高度，并可提高所述浮栅层的表面的光滑度，使得所述浮栅层与字线之间的电容减小，从而使得电容耦合率也相应减小，进而提高存储器的编程性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990876 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111276183.6
(22)申请日 2021.10.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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