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本发明涉及一种具有栅电极表面场的沟槽PiN型β辐照电池及制备方法，辐照电池包括：PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型掺杂4H‑SiC外延层、N型欧姆接触电极、隔离钝化层、沟槽钝化层、P型欧姆接触电极、若干沟槽区域和栅电极，若干沟槽区域贯穿P型掺杂4H‑SiC外延层且间隔分布在N型掺杂4H‑SiC外延层中，使得P型掺杂4H‑SiC外延层形成分布式P型区；沟槽钝化层覆盖沟槽区域的表面；P型欧姆接触电极位于分布式P型区
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990548 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111177383.6
(22)申请日 2021.10.09
(71)申请人 西安电子科技大学
地址
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