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本发明涉及一种具有钝化层表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法，该辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接触电极、第一钝化层、第二钝化层和P型欧姆接触电极，P型离子注入区位于N型掺杂4H‑SiC外延层的表层中，形成分布式P型区；第一钝化层位于N型掺杂4H‑SiC外延层上且覆盖隔离台面的表面；第二钝化层位于隔离台面处的第一钝化层上；P型欧姆接触电极位于P型离子注入区上，且与第一钝化层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113990550 A
(43)申请公布日 2022.01.28
(21)申请号 202111177392.5
(22)申请日 2021.10.09
(71)申请人 西安电子科技大学
地址
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